磁场辅助热处理对碳纳米管场发射性能的研究

摘要：

采用丝网印刷法制备碳纳米管场发射阴极并进行磁场辅助热处理,研究磁场辅助处理碳纳米管阴极的场发射性能.未进行磁场处理的场发射阴极的开启场强较大,为1.50V/μm,场增强因子β较小,约为5256;磁场处理过的碳纳米管场发射阴极的开启场强约为0.86V/μm,场增强因子约为12901.实验结果表明,磁场辅助热处理可以改善碳纳米管在阴极表面的直立分布形态,有利于提高碳纳米管阴极的场发射性能.

关键词： 真空电子学 碳纳米管阴极 场发射性能 磁场辅助热处理工艺 阴极表面 直立分布形态

作者: 陈填源 叶芸 蔡寿金 颜敏 刘玉会 胡海龙 林金堂 郭太良

作者单位: 福州大学物理与信息工程学院 福州350002

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会真空电子学分会第十九届学术年会

会议地点: 黄山

会议语种:中文

页码: 717-720

在线出版日期: 2013-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）