纳米锥阵列场发射阴极模拟研究
场发射在冷阴极平板显示、X射线源、真空微纳电子系统和小型微波发生器等方面的研究受到了科研人员的高度重视.在冷阴极平板显示领域,阴极材料和阴极结构的研究处于核心地位.不同阴极材料的场发射性能有着很大不同,即使同一种材料,发射体的几何结构和排列密度对发射性能也有着显著影响,而优异阴极结构的设计,同样是摆在场发射显示研究人员面前亟须解决的问题.本文以纳米锥阵列膜为场发射材料,采用平面栅极结构,即栅极置于中央,被阴极所包围,场发射阴极材料放置于栅极和阴极之间,利用栅极与阳极产生的电场控制场发射电子的轨迹,使电子向中心汇聚,降低电子束发散,简化场发射电子源的结构.在给定几何参数(栅极宽度、阴极宽度和栅极阴极间距)和电参数(阳极电压和栅极电压)条件下,利用有限元方法,理论模拟了具有不同相对介电常数的纳米锥阵列和不同形状的ZnO纳米锥阵列膜表面传导场发射阴极结构的电场分布和电子轨迹分布,研究电场分布与电子轨迹的关系,即场发射材料对汇聚型场发射电子源电子束汇聚性能的影响.
场发射 阴极材料 纳米锥阵列膜 平面栅极结构 电场分布 模拟分析
李春 元光 袁光军 郭强 陈龙 刘玉芳
中国海洋大学 物理系 山东省青岛市崂山区松岭路238号 266100
国内会议
黄山
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742-742
2013-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）