一种有效提高氧化钨纳米线阵列的场发射均匀性的原位等离子体处理工艺
氧化钨纳米材料由于具有较低的开启电场和阈值电场,能够在较为温和的条件实现场致电子发射,所以被认为是一种优良的冷阴极纳米材料.但是近年来氧化钨纳米材料在场发射领域的发展遭遇到了一个瓶颈,即它的场发射均匀性无法满足其在平板显示领域的技术要求.本文中,提供一种原位等离子体处理工艺,可以有效提高氧化钨纳米线阵列的场发射特性.实验结果表明:经过本工艺处理后的氧化钨纳米线阵列发射址的分布均匀性高达88.2％,亮度分布均匀性达到85.8％,同时其开启和阈值电场却基本保持不变.认为Ar等离子体的轰击减薄作用以及H2等离子体的强还原作用是提高氧化钨纳米线场发射特性的本质原因.同时,这种原位等离子体处理工艺不仅可以有效提高氧化钨纳米材料的场发射特性,而且也可以为提高其它氧化物纳米材料的场发射特性提供参考.
真空电子学 冷阴极材料 氧化钨纳米线阵列 原位等离子体处理工艺 场发射均匀性
刘飞 郭同义 许卓 莫小姝 甘海波 陈军 邓少芝 许宁生
中山大学 光电材料与技术国家重点实验室 广东省显示材料与技术重点实验室 物理科学与工程技术学院 广州 510275
国内会议
黄山
中文
751-754
2013-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）