存储态真空电子器件渗气分析

摘要：

本文推导得出气体对VED圆筒形腔体渗透速度表达式,基于实测高温金属材料渗透系数,建立了常温金属材料渗透系数外推公式.分别给出氢气对铜、铁在不同温度下的渗透系数,获得氢气对某VED铁腔和铜腔渗透速度.结果表明,处于存储态、0℃时,氢气对该管渗透使得真空度从3×10-6Pa降为2×10-4Pa,铁腔需时3.3年,铜腔需时320年.

关键词： 微波真空电子器件 渗气速率 存储环境 高温金属材料

作者: 袁慧宇 周军 欧阳佳佳 盛兴 孙小菡

作者单位: 东南大学电子系统与器件可靠性研究所 南京210096;淮北师范大学信息学院,淮北235000 中电科技集团第12研究所,北京100015 东南大学电子系统与器件可靠性研究所 南京210096

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会真空电子学分会第十九届学术年会

会议地点: 黄山

会议语种:中文

页码: 249-252

在线出版日期: 2013-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）