国外氮化镓器件发展现状研究

摘要：

本文介绍了氮化嫁(GaN)材料具有禁带宽度大、击穿场强高、热导率大、抗辐射能力强、化学性质稳定和功率密度高等优点，具有巨大军事应用前景。为进一步降低成本和提高功率密度，GaN器件衬底在原有碳化硅(SiC)的基础上发展出硅和金刚石两种新材料。为促进GaN器件的发展，美国、欧洲和日本等国家和地区启动了多个发展计划。GaN器件晶圆直径的增加、生产工艺的成熟、可靠性的提升都为GaN器件在下一代有源电子扫描阵列雷达、新电子战系统等武器装备中的应用铺平道路。

关键词： 禁宽带半导体器件 氮化镓材料 性能表征

作者: 张倩 胡开博

作者单位: 工业和信息化部电子科学技术情报研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 17-19

在线出版日期: 2013-07-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）