应用前景广阔的氮化硼

摘要：

本文主要就氮化硼带晶体作为为半导体材料和光电子材料这两方面进行了介绍。虽然cBN和hBN具有广阔的应用前景，但是要使前景变为现实，还有许多困难需要克服。最主要的困难是材料的制作和器件的欧姆接触问题。最近，人们己经采用MOCVD技术在直径2英寸的蓝宝石衬底上成功制备出结晶质量良好的hBN外延层，并实现了有效的P型掺杂，室温下电阻率仅为12 Ω·cm。相信在不久的将来，随着cBN和hBN的单晶和薄膜生长技术的不断完善和发展，它们必将在半导体器件产业发展中大显身手。

关键词： 半导体器件 氮化硼 性能表征 晶体结构

作者: 王琦 贾刚 刘秀环 高延军 杨枫 陈占国

作者单位: 集成光电子学国家重点联合实验室,吉林大学电子科学与工程学院,长春 130012 吉林大学 通信工程学院 光通信系,长春 130012 吉林大学电子科学与工程学院

会议类型: 国内会议

会议名称: 2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 22-23

在线出版日期: 2013-07-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）