AlN/GaN异质结材料与器件中的散射机理研究

摘要：

本文首先利用变温霍尔测试研究了A1N/GaN异质结材料中影响2DEG迁移率的的主要散射机制，而后，在A1N/GaN异质结材料上制备得到了不同肖特基面积的方形A1N/GaN HFETs。基于实验测试和理论计算，发现：在完成器件工艺后极化梯度库仑场散射对A1N/GaN HFET中的2DEG迁移率有着重要的影响，成为一种不可忽略的散射机理。

关键词： 异质结材料 氮化铝 氮化镓 散射机理

作者: 吕元杰 冯志红 敦少博 尹甲运 韩婷婷 顾国栋

作者单位: 专用集成电路国家级重点实验室 河北半导体研究所,石家庄 050051

会议类型: 国内会议

会议名称: 2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 52-54

在线出版日期: 2013-07-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）