SiC同质外延材料中基失面位错转化机理研究

摘要：

本文采用KOH融溶液腐蚀了n型和P型的SiC外延层，对BPD在外延材料中的延伸和转化机理进行了研究分析。通过对n型和P型的SiC外延材料进行腐蚀，发现衬底中的BPD在n型SiC外延材料中得到延续，在P型SiC外延材料中得到抑制。

关键词： 同质外延材料 碳化硅 基失面位错 转化机理

作者: 李佳 蔚翠 刘庆彬 卢伟立 杨霏 钮应喜 冯志红

作者单位: 专用集成电路重点实验室,石家庄 050051 国网智能电网研究院,北京 100010

会议类型: 国内会议

会议名称: 2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 55-57

在线出版日期: 2013-07-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）