AlGaN/GaN HEMT漂移区动态电阻分析

摘要：

AlGaN/GaN HEMT适合应用于高压大功率器件,但在高电压动态使用时,存在导通电阻增加的现象.目前可以有效降低动态导通电阻的方法有:场板结构和AlN介质层等.本论文采用叠层双栅结构AlGaN/GaN HEMT器件,该器件在栅电极之上新增加了一个通过介质层(Si3N4)与栅电极相隔离并可以单独加信号控制的顶栅.在动态下工作时,顶栅电极的脉冲输入信号与栅电极的脉冲输入信号同步.在器件关态时,顶栅电极加0V偏置;在器件开态时,顶栅电极加正电压.项栅在器件开态下所加正电压越大,器件的动态导通电阻越小。

关键词： 高电子迁移率晶体管 氮化镓 氮化镓铝 动态电阻

作者: 于国浩 蔡勇 王越 赵德胜 曾春红 侯克玉 董志华 张宝顺

作者单位: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,纳米器件与应用重点实验室,江苏 苏州 215123

会议类型: 国内会议

会议名称: 2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 96-98

在线出版日期: 2013-07-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）