蓝宝石衬底上的高性能AlGaN/GaN HEMT研制与分析

摘要：

本研究在蓝宝石衬底上制作了栅长90nm源漏间距0.8um的AlGaN/GaN HEMT并进行了表征。器件在栅偏压为0V时的最大漏电流密度为995 mA/mm。最大峰值跨导为225 mS/mm。器件的电流增益截止频率和最大振荡频率分别为102 GHz和147 GHz。抑制短沟道效应并减小接触电阻有望进一步提升器件的性能。

关键词： 高电子迁移率晶体管 氮化镓 氮化镓铝 蓝宝石衬底 性能表征

作者: 韩婷婷 冯志红 敦少博 吕元杰 顾国栋 刘玉贵 王元刚 徐鹏 宋旭波 尹甲运

作者单位: 专用集成电路重点实验室,河北半导体研究所,石家庄 050051

会议类型: 国内会议

会议名称: 2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 101-103

在线出版日期: 2013-07-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）