增强型InAlN/GaN HEMT的研制与分析

摘要：

本文利用F注入技术成功制备了真正意义上的常关型InAIN/GaN HEMT。器件在VGS=0V时，跨导也为0。器件的最大饱和电流密度在VG=4V时达到606mA/mm，最大跨导达到210mS/mm。增强型InA1N/GaN HEMT与传统的耗尽型器件相比栅漏电有所下降，增强型器件的电流截止频率和最高振荡频率分别达到32.4GHz和52.4GHz。

关键词： 高电子迁移率晶体管 氮化镓 氮化铝铟 性能表征

作者: 顾国栋 宋旭波 敦少博 吕元杰 韩婷婷 王元刚 冯志红

作者单位: 专用集成电路重点实验室,河北半导体研究所,石家庄 050051

会议类型: 国内会议

会议名称: 2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 104-106

在线出版日期: 2013-07-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）