场致隧穿增强型AlGaN/GaN HEMT新结构

摘要：

增强型技术是AlGaN/GaN HEMT功率器件领域的关键技术之一,本文提出一种新型场致隧穿增强型AlGaN/GaN HEMT器件,该结构通过采用刻槽以及垂直栅结构等技术,在栅极施加电压调节能带分布并控制隧穿进而控制器件开启与关断,从而实现增强型AlGaN/GaN HEMT器件。本文利用ISE仿真软件，分析了所提出的场致隧穿增强型AlGaN/GaN HEMT新结构工作机理，结果表明该器件具有优良的器件特性。

关键词： 高电子迁移率晶体管 氮化镓 氮化镓铝 场致隧穿

作者: 尉中杰 陈万军 周琦

作者单位: 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054

会议类型: 国内会议

会议名称: 2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 107-109

在线出版日期: 2013-07-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）