BST片上压控电容及其模型
在氮化镓外延材料上制作了金属-绝缘层-金属型钛酸锶钡薄膜压控电容.测试表明,该压控电容在0.1~15GHz的频率范围内具备压控调谐特性;根据测试结果建立了微波频段钛酸锶钡压控电容等效电路模型,模型与测试结果吻合.同批次制作的氮化镓HEMT性能测试表明,该电容的制作工艺与标准氮化镓单片微波集成电路工艺完全兼容.
压控电容 钛酸锶钡薄膜 高电子迁移率晶体管 等效电路模型
孔岑 周建军 李辉 陆海燕 耿习娇 许晓军
南京电子器件研究所,微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室,南京 210016
国内会议
2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会
大连
中文
114-119
2013-07-22(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)