毫米波AlGaN/GaN HEMT小信号建模与参数提取

摘要：

利用蓝宝石衬底上的AlGaN/GaN异质结制备了90nm T型栅AlGaN/GaN HEMT，其最高特征频率fT和振荡频率fmax分别为86.0 GHz和142.8 GHz。通过对不同栅宽的AlGaN/GaN HEMT对比分析，首先建立了18元件小信号等效电路模型，然后对小信号参数进行提取，并使用模拟退火算法分别对寄生参数和本征参数初值优化，得到了符合物理含义的小信号参数优值，最后基于小信号参数Cgs和gm，深入分析了器件栅宽对频率特性的影响。

关键词： 高电子迁移率晶体管 氮化镓 氮化镓铝 毫米波 小信号等效电路 建模仿真

作者: 尹成功 杜江锋 严慧 白智元 敦少博 徐鹏 冯志红 于奇

作者单位: 电子科技大学微电子与固体电子学院,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都 610054 专用集成电路重点实验室,石家庄 050051

会议类型: 国内会议

会议名称: 2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 120-124

在线出版日期: 2013-07-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）