栅场板对具有p-GaN栅的GaN HEMT器件性能的影响

摘要：

本文对具有不同的栅极场板结构的p-GaN栅HEMT器件的性能进行了比较,利用半导体器件仿真工具Synopsys TCAD对器件电学特性进行了仿真.仿真结果显示:具有p-GaN栅的GaN HEMT器件阈值电压为1.5V;采用栅极场板能缓解栅极边缘过于集中的电场,当场板长度为5μm时,器件击穿达到1100V;间断的栅极场板能在场板间隙中产生新的电场峰值,更充分的利用漂移区耐压,器件的击穿电压可达到1271V;栅极场板与AlGaN势垒层的距离影响场板对漂移区电场的调控作用,当栅极场板下方介质层厚度为0.24μm时,器件的击穿电压可达1255V.

关键词： 高电子迁移率晶体管 氮化镓 栅场板 性能表征

作者: 王立东 王中健 程新红 万里

作者单位: 温州大学,物理与电子信息工程学院,温州 325035 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,汽车电子工程中心,上海 200050

会议类型: 国内会议

会议名称: 2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 125-129

在线出版日期: 2013-07-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）