光电导的Franz-Keldysh效应研究

摘要：

本文通过建立合理的物理模型，成功获得整个能量范围的电子波函数和隧穿概率，给出了隧穿概率随光子能量和电场强度的变化关系，并对强电场下的峰值电场效应进行了合理解释。

关键词： 半导体 光电导现象 量子隧穿效应 数值计算

作者: 张流强

作者单位: 重庆大学光电技术及系统教育部重点实验室,重庆

会议类型: 国内会议

会议名称: 2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 153-157

在线出版日期: 2013-07-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）