基于20nm FinFETs器件穿通电流的抑制及穿通阻止层技术优化设计

摘要：

本文基于20 nm FinFETs器件应用TCAD仿真技术研究了穿通阻止层对器件特性的影响。根据本文的研究结果，穿通阻止层对器件的亚阈值特性影响甚大，对穿通阻止层技术的优化设计对于获得高性能低功耗FinFETs器件具有重要意义。

关键词： 场效应晶体管 穿通电流 穿通阻止层技术 优化设计

作者: 刘云飞

作者单位: 中国科学院微电子研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 166-166

在线出版日期: 2013-07-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）