可用于0.3THz的国产肖特基倍频二极管
本文基于半导体工艺，制作出了可用于THz频段的GaAs基肖特基倍频二极管。倍频二极管为反向级联二极管，通过制作欧姆接触阴极和肖特基接触阳极，制作的GaAs基肖特基二极管的尺寸为345um*55um*SOum(L*W*H)。肖特基二极管单阳极结的串联电阻为2.7欧姆，测试电流为SmA。在1MHz频率下，肖特基二极管的单阳极结零偏总电容为15.2fF，其中单个阳极结的结电容为6.8fF，寄生总电容为8.4fF，肖特基二极管截止频率高达3.9THz，是目前国内报道的最高截止频率肖特基倍频二极管，该肖特基二极管可工作于0.3THz。为了验证该二极管的高频性能，制作了三倍频器，测试结果表明，在0.29THz-0.31THz，20GHz带宽下输出功率为-10dBm左右，其中0.3THz功率输出为-8.9dBm。
肖特基倍频二极管 性能表征 半导体工艺
王俊龙 邢东 梁士雄 张立森 杨大宝 吕元杰 宋旭波 何泽召 冯志红
专用集成电路重点实验室,石家庄 050051
国内会议
2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会
大连
中文
168-168
2013-07-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）