一种具有体内RESURF结构的槽栅型VDMOS

摘要：

更低的导通损耗和开关损耗一直是功率VDMOS发展的方向.本文提出了一种适用于低压应用的具有体内RESURF结构的槽栅型VDMOS,并借助仿真软件进行了设计和优化,获得了耐压62V的器件,比传统槽栅型VDMOS的阻断电压提高21.6％,同时比导通电阻降低84.1％,且器件具有更高的可靠性。

关键词： 平面栅双扩散场效应器件 降低表面场结构 比导通电阻 性能表征

作者: 宁润涛 宋洵奕 任敏 黄锴 尹杰 李洁 朱金粦 李泽宏 张金平

作者单位: 中国电子科技集团公司第47研究所,辽宁 沈阳,110032 电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川 成都,610054

会议类型: 国内会议

会议名称: 2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 171-175

在线出版日期: 2013-07-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）