900V半超结VDMOS元胞的仿真设计

摘要：

超结结构突破了普通VDMOS的”硅限”,获得了正向导通与反向耐压之间的良好折中,而半超结结构克服了超结结构耐压要求与工艺难度之间的矛盾.本文提出了半超结元胞和终端的设计思路,并对其主要的工艺参数和电学特性进行了仿真优化,最终得到击穿电压为967V，比导通电阻为4.95Ω·mm2,阈值电压为2.6V的半超结元胞结构.

关键词： 平面栅双扩散场效应器件 半超结元胞结构 比导通电阻 仿真设计

作者: 宁润涛 杨珏琳 任敏 黄锴 尹杰 王君龙 章志海 李泽宏 张金平

作者单位: 中国电子科技集团公司第47研究所,辽宁 沈阳,110032 电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川 成都,610054

会议类型: 国内会议

会议名称: 2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 176-181

在线出版日期: 2013-07-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）