特殊栅结构的平面高压VDMOS研制

摘要：

介绍了当前平面高压VDMOS的发展现况,分析了平面高压VDMOS栅结构对其交流特性的影响，利用SILVACO仿真软件模拟了器件结构及导通状态下交流特性，结合现有平面高压VDMOS工艺流程，通过采用双栅结构和分裂栅结构两种方式，实现低Qg器件的设计，并流片验证，经过测试及上机评价，满足整机要求。

关键词： 平面栅双扩散场效应器件 栅结构 仿真分析 工艺优化 性能表征

作者: 尚东 张新 唐红祥 黄传伟 彭强

作者单位: 无锡华润华晶微电子有限公司,江苏 无锡 214061

会议类型: 国内会议

会议名称: 2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 182-186

在线出版日期: 2013-07-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）