射频RFLDMOS功率器件的结构和性能优化

摘要：

本文介绍了一种新型的射频LDMOS功率器件,给出了器件的基本结构及其基本工艺流程.通过对LDD剂量和能量、法拉第环屏蔽罩长度的优化,并经过大量器件仿真和实验验证很好地克服了击穿电压和导通电阻之间的矛盾;通过对隔离区域的优化,解决了漏电及均匀性等问题.目前直流特性及频率特性均满足预期目标.产品可广泛应用于移动发射基站、广电发射基站等领域.

关键词： 射频横向双扩散场效应管 法拉第屏蔽罩 结构分析 性能优化

作者: 遇寒 周正良 李娟娟 肖胜安 徐向明 钱文生 蔡莹

作者单位: 上海华虹NEC电子有限公司,上海 201108

会议类型: 国内会议

会议名称: 2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 187-192

在线出版日期: 2013-07-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）