RFLDMOS热载流子注入效应的分析和优化

摘要：

本文研究了一种RFLDMOS的热载流子注入效应,分析了热载流子注入效应对器件性能以及可靠性的影响,并提出了改进方案.利用TCAD仿真软件,对RFLDMOS工艺以及器件结构进行了仿真.根据仿真结果,通过调节器件的结构和离子掺杂等手段,即降低表面电场(RESURF)技术,可以有效地抑制热载流子注入效应,从而提高器件的可靠性.

关键词： 射频横向扩散金属氧化物晶体管 热载流子注入效应 降低表面电场技术 可靠性分析

作者: 李娟娟 钱文生 肖胜安 慈朋亮

会议类型: 国内会议

会议名称: 2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 193-198

在线出版日期: 2013-07-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）