600V新型槽栅内透明集电极IGBT的仿真研究

摘要：

本文提出一种600V新型槽栅内透明集电极(Internal Transparent Collector,ITC) IGBT (Insulated gate bipolar transistor,绝缘栅双极晶体管).该结构把点注入PNM(Partially Narrow Mesa,局部窄台面)槽栅结构应用于内透明集电极IGBT中,通过对PNM-ITC-IGBT进行仿真,并与不同槽栅间距的普通槽栅内透明集电极IGBT对比,结果表明新结构在导通特性、开关特性、短路特性等方面,有良好性能,尤其在短路特性方面,极大改善了槽栅IGBT坚固性.

关键词： 绝缘栅双极晶体管 透明集电极 局部窄台面槽栅结构 仿真分析 性能表征

作者: 张惠惠 胡冬青 吴郁 贾云鹏 周新田 穆辛

作者单位: 北京工业大学,北京 100124

会议类型: 国内会议

会议名称: 2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 209-212

在线出版日期: 2013-07-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）