0.18μm MOS晶体管1/f噪声总剂量效应

摘要：

为了解国产0.18微米混合信号集成电路抗辐射性能，本文针对集成电路用MOS晶体管，研究了其直流及1/f噪声在60Coγ电离辐射环境下的变化规律.实验过程中，对实验样品辐照前后直流特征曲线、1/f噪声功率谱进行了测试。研究结果表明：辐照前后阈值电压、栅极电流变化均很小：在总剂量辐照下，NMOS晶体管漏电流增大,1/f噪声功率增大，而PMOS晶体管漏电流及1/f噪声功率则基本没有变化。分析表明NMOS晶体管漏电流和1/f噪声功率的变化均和器件的横向寄生晶体管有关.所以,相比较栅氧化层，隔离氧化层仍然是其电离辐射环境下的短板。最后结合器件结构、工艺等对辐照引起的晶体管电离损伤效应进行了初步分析和探讨。

关键词： 金属氧化物半导体晶体管 噪声特性 总剂量效应

作者: 吴雪 陆妩 李豫东 郭旗 张兴尧 于新 王信

作者单位: 中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐 830011;新疆电子信息材料与器件重点实验室,乌鲁木齐 830011;中国科学院大学,北京 100049 中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐 830011;新疆电子信息材料与器件重点实验室,乌鲁木齐 830011

会议类型: 国内会议

会议名称: 2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 213-218

在线出版日期: 2013-07-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）