高K介质辅助耗尽的超低导通电阻UMOS

摘要：

本文提出高K(介电常数)介质辅助耗尽的低阻UMOS(HK UMOS)。高浓度的n柱在导通时提供了一个低阻的电流通路，它可以通过小角度离子注入工艺实现，降低了工艺难度;在反向阻断时，n-可承担高阻断电压，且高K介质对n柱进行自适应辅助耗尽，调制体内电场分布，提高BV，并降低Ronsp。同时，HK UMOS克服了常规SJ器件对电荷非平衡敏感和工艺困难的两大问题。

关键词： 低阻金属氧化物半导体器件 高介电常数 导通电阻 性能优化

作者: 张彦辉 尹超 谭乔 蔡金勇 王骁玮 罗小蓉

作者单位: 电子科技大学微电子与固体电子学院,成都 610054

会议类型: 国内会议

会议名称: 2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 224-226

在线出版日期: 2013-07-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）