基于单端正激谐振复位技术的DC/DC变换器MOSFET损耗计算方法

摘要：

本文试析了基于单端正激拓扑结构及谐振复位技术的DC/DC变换器中功率开关管VDMOS损耗的计算方法，讨论了VDMOS器件损耗的组成以及影响VDMOS损耗的因素，并给出了各部分损耗的计算公式。通过在同款DC/DC变换器中对比不同的VDMOS器件对效率的影响验证计算方法的正确性，为DC/DC变换器的VDMOS器件选型、应用提供了参考。

关键词： 平面栅双扩散金属氧化物半导体 器件损耗 单端正激谐振复位技术 数值计算

作者: 徐国英 余海生 邹华昌 程铭 杨浩

作者单位: 中国电子科技集团公司 第二十四研究所,重庆 400060

会议类型: 国内会议

会议名称: 2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 230-231

在线出版日期: 2013-07-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）