功率MOSFET dv/dt对雪崩性能的影响

摘要：

本文以理论分析加实验验证的方式讲述了功率MOSFET(BVDSS ＞500V) dv/dt能力对于其雪崩性能的影响,分析发现,对于功率MOSFET dv/dt设计必须合理,不论过高或是过低，都将影响其雪崩能力,甚至导致MOSFET雪崩测试失效。

关键词： 场效应器件 雪崩性能 寄生二极管

作者: 罗景涛

作者单位: 西安芯派电子科技有限公司,西安 720075

会议类型: 国内会议

会议名称: 2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 241-245

在线出版日期: 2013-07-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）