低正向整流器件的研究

摘要：

本文主要介绍了沟槽型金属-氧化物-半导体势垒肖特基整流器(Trench MOS Barrier Schottky rectifier,TMBS)和超势垒整流器(Super Barrier Rectifier,SBR)的结构、机理和参数特性.这两种器件正向压降低,温度特性好,与传统肖特基二极管(Schottky Barrier Diode,SBD)相比,可在不牺牲温度特性的前提下,实现更低的正向压降与更高的整机转换效率。

关键词： 半导体整流器件 肖特基 低正向压降特性 温度特性 整机转换效率

作者: 吴志伟 张巧丽 秦旭光

作者单位: 无锡华润华晶微电子有限公司,江苏 无锡 214061

会议类型: 国内会议

会议名称: 2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 246-249

在线出版日期: 2013-07-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）