功率快恢复二极管反偏ESD机理分析
功率半导体器件静电放电(electrostatic discharge简称ESD)的可靠性在应用中至关重要,其抗ESD的机理需深入研究.采用一种符合GB/T 17626.2标准的简明分段线性电流源,对功率快恢复二极管(fast recovery diode简称FRD)反偏ESD过程进行仿真计算.讨论了器件外端电压波形在经历过冲、负阻及振荡、平缓发展三个阶段时,器件内部相应的一系列复杂变化.结果表明:器件内部的”过耗尽”、雪崩注入、载流子及电场分布涨落等复杂变化,最终导致在PN结拐角处形成局部电流集中.最后,考察了器件结构参数抗ESD能力的影响.
快恢复二极管 反偏静电放电机理 仿真模型 数值计算
魏峰 吴郁 吴立成 周新田
国内会议
2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会
大连
中文
250-254
2013-07-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）