一类新的金属氧化物薄膜气敏元件的开发

摘要：

简述了温变气敏元件的研发机理。用不平衡电桥原理设计了测量反应温变Δtrea的装置。给出了Δtrea随气体浓度C变化的规律Δtrea=A Cn/(1+BCm)(A,B,n,m＞0,n＞m)。提出了研制温变薄膜气敏元件的工艺流程。

关键词： 气敏元件 反应温变 金属氧化物薄膜 工艺流程

作者: 秦海英 张宝财 李东华 裘南畹

作者单位: 济南市半导体元件实验所 济南 250014 山东大学物理学院 济南 250011

会议类型: 国内会议

会议名称: 2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 285-289

在线出版日期: 2013-07-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）