阴影掩膜制备及其在有机半导体微纳米器件制备中的应用

摘要：

采用阴影掩膜作为蒸镀电极的掩膜可以避开光刻过程，尤其有利于非传统材料的表面上电极的制备。利用该技术可以实现单一步骤大面积地制备微纳米尺度电极，极大地简化器件的加工工艺。尽管在阴影掩膜的制备方面已有一定的研究，但在微纳米器件制备方面的报导还很少。本文制备了大面积的插指电极阴影掩膜并用于有机半导体纳米器件的制备。随后利用制备的阴影掩膜为单根有机半导体纳米线制备了电极。

关键词： 有机半导体微纳米器件 制备工艺 阴影掩膜 参数优化

作者: 全保刚 胡赵胜 李俊杰 顾长志

作者单位: 中国科学院物理研究所微加工实验室,北京 100190

会议类型: 国内会议

会议名称: 2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 295-296

在线出版日期: 2013-07-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）