Ni/V/4H-SiC欧姆接触电极制备与性能研究

摘要：

本文选择Ni/V双层金属结构，研究了引入V对Ni/4H-SiC欧姆接触性能的影响。实验结果表明，Ni/V双层金属结构在退火温度高于950℃才能与SiC半导体形成良好的欧姆接触；不同厚度的Ni/V结构电极在1050℃快速退火处理后都能形成良好的欧姆接触，并且比接触电阻率随金属层厚度的变化不大。SiC晶片的硅面和碳面对Ni/V双层金属的接触性质影响较小，Raman和XRD结果表明Ni/V双层金属经950℃退火处理形成了新的物相如Ni2Si，VC等，TEM结果表明退火处理后电极结构发生化学反应而形成明显的分层，即对应不同的物相，物相分析和微观结构分析与TLM测试的电学性能相吻合。当达到一定的退火温度时金属电极与SiC表面和亚表面物质发生化学反应而生成不同的物相和结构。

关键词： 欧姆接触电极 制备工艺 碳化硅 镍元素 钒元素 性能表征

作者: 代冲冲 刘学超 周天宇 黄维 杨建华 施尔畏

作者单位: 中国科学院上海硅酸盐研究所,上海 201899

会议类型: 国内会议

会议名称: 2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 311-312

在线出版日期: 2013-07-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）