碳膜保护改善激活退火SiC表面形貌

摘要：

在SiC离子注入高温激活退火中,采用碳膜作为保护层覆盖在晶片表面.碳膜通过AZ5214光刻胶在700、750、800℃Ar气氛围下退火形成,经过Raman测试结果表明,退火后光刻胶开始向纳米晶体石墨方向的转变,800℃退火的样品形成的碳膜厚度约为366nm,整体覆盖良好.经过Ar气氛围下1650℃20min激活退火后,有碳膜保护和无碳膜保护的样品注入区RMS分别为0.6nm和3.6nm.退火过程中碳膜的保护,有效的抑制了表面处Si的升华和再沉积过程,避免SiC表面形貌的退化.

关键词： 碳化硅材料 表面形貌 激活退火 碳膜保护层

作者: 黄蓉 李诚瞻 王弋宇 史晶晶 申华军

作者单位: 株洲南车时代电气股份有限公司,株洲,412001 株洲南车时代电气股份有限公司,株洲,412001;电力电子器件湖南省重点实验室,株洲,412001 中国科学院微电子研究所,北京,100029

会议类型: 国内会议

会议名称: 2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 313-316

在线出版日期: 2013-07-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）