溶剂热法低温180℃合成α-Si3N4籽晶

摘要：

以硫代氨基脲作为低温辅助剂,硅粉为硅源,叠氮化钠为氮源,采用溶剂热法在低温180℃合成α相氮化硅籽晶体.对所制备样品进行X射线衍射(XRD)、傅立叶红外光谱(FTIR)、X射线光电子能谱(XPS)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)测试.XRD测试表明样品仅包含有氮化硅α晶相;傅里叶红外光谱中在918.81cm-1出现一个明显的强峰,与块状晶体Si-N键振动吸收接近;XPS全元素谱线显示样品中成键元素主要有Si、N,其比例近似为3:3.8; SEM形貌中可以看到氮化硅晶体发育良好、其端面为正六边形或正六边锥、其最大直径约为2.0μm左右;样品TEM衍射斑点图可清楚表明棒状氮化晶体结构为单晶体结构.其光致发光(PL)表明在380nm处有很强的紫处发光。

关键词： 氮化硅 晶体生长 低温合成 溶剂热法 光致发光 微观结构

作者: 赵武 张志勇 闫军锋 贠江妮 翟春雪

作者单位: 西北大学信息科学与技术学院,西安 710127

会议类型: 国内会议

会议名称: 2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 318-321

在线出版日期: 2013-07-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）