ZnO基阻变存储器
本文系统的进行了Zn0纳米薄膜、纳米线、纳米岛阻变存储特性的研究工作。通过进行试验分析,采用Zn0纳米材料制备存储器,可实现各种存储功能,并有望将器件尺寸缩小到5nm以下。
阻变存储器 制备工艺 氧化锌基纳米薄膜 性能表征
祁菁
兰州大学物理学院,甘肃 兰州 730000
国内会议
2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会
大连
中文
330-331
2013-07-22(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
阻变存储器 制备工艺 氧化锌基纳米薄膜 性能表征
祁菁
兰州大学物理学院,甘肃 兰州 730000
国内会议
2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会
大连
中文
330-331
2013-07-22(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)