毫米波InAlN/GaN HEMT电学特性退化机制分析

摘要：

在SiC衬底上制作了栅长200hm的InAlN/GaN HEMT器件,其最大源漏输出电流为500mA/mm,电流增益截止频率fT和功率增益截止频率fmax分别为66GHz和150GHz.并深入分析了欧姆接触和异质结界面粗糙度散射等因素对器件电学性能的影响机制,通过实验数据和仿真结果对比分析发现,器件的比欧姆接触电阻率pc(约7.72×10-3Ω·cm2)较大引起导通电阻增加会明显降低器件电学性能;同时异质结界面粗糙度散射会使沟道中平均电子迁移率减小,亦是导致器件的电学特性退化的重要原因.

关键词： 高电子迁移率晶体管 电学特性 退化机制 氮化镓 氮化铝铟

作者: 严慧 杜江锋 尹成功 黄思霓 敦少博 徐鹏 冯志红 于奇

作者单位: 电子科技大学微电子与固体电子学院,电子薄膜与集成器件国家重点实验室 成都 610054 专用集成电路国家级重点实验室 石家庄 050051

会议类型: 国内会议

会议名称: 2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 370-374

在线出版日期: 2013-07-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）