硅通孔润湿性能影响因素的模拟仿真
本文使用Fluent流场仿真软件模拟了电镀液对硅通孔(TSV)的浸润过程,讨论了TSV深宽比、电镀液流速、电镀液表面张力、接触角以及压强等主要影响因素.通过对比仿真寻找出能在电镀之前使电镀液完全浸润TSV所有表面的预润湿处理方法,以防止因润湿不彻底在TSV底部形成气泡而导致的有空洞电镀填充.通过仿真发现,电镀液表面张力越小,电镀液与待电镀样片表面的接触角越小,浸润过程中电镀液的流速越慢,浸润所处环境的压强越低,则越有利于电镀液对TSV的浸润;本文中,流速为0.002m/s时即可对深宽比低于或等于130μm:30μm的TSV实现完全浸润,浸润环境压强低于3000Pa时即可在流速为0.05m/s时对深宽比为150μm:50μm的TSV基本实现完全浸润.当TSV结构的深宽比大于2的时候,没有经过预润湿而直接放入电镀液的TSV结构很难实现无空洞电镀填充.
三维硅基封装 硅通孔 电镀液 润湿性能 模拟仿真
王昭瑜 岳恒 王溯 王艳 汪红 丁桂甫 赵小林
上海交通大学微纳科学技术研究院,微米/纳米加工技术重点实验室,上海200240 上海新阳半导体材料股份有限公司,上海201616
国内会议
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56-61
2013-11-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）