薄膜型發光二極體技術於矽基氮化鎵結構之應用
利用成长于矽基板之磊晶结构,配合高反射镜面、晶圆贴合技术以及矽基板移除技术,制备高效率、高亮度与高散热之发光二极体,实验中以雨种结构:二次翻转发光二极体(Secondary-transferred LEDs, S-LEDs)以及垂直型发光二极体Vertical LEDs,V-LEDs)与傅统水平式发光二极体(ateral LEDs,L-LEDs)做比较.透过基板置换配合高反射镜面,使得元件在高电流注入下,加速散热速度并降低元件效率下降效应,亮度获得大幅提升,通入高电流700mA时,垂直型与二次翻转型元件输出功率分别为155.87mW和261.07mW,与水平结构90.88mW相比,分别增加约71.5％和187.3％;表面温度量测结果得知,二次翻转型无与垂直型结构的平均表面温度分别为80.98℃和56.91℃,而一般水平结构发光二极体的表面温度约为90.72℃ .透过翻转制程之元件皆可有效提升元件发光效率,且有助于消除发热,改善散热效果,使元件维持良好的光电特性以及热稳定性.而利用湿蚀刻方式移除矽基板,能确保磊晶膜翻转后仍保有良好品质.
薄膜型发光二极管 矽基板 氮化镓结构 性能评价
洪瑞華 楊閔皓
國立中與大學精密工程研究所 國立中興大學材料科學與工程學系
国内会议
台北
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19-25
2013-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）