石墨稀對P型GaN歐姆接觸特性之研究

摘要：

本研究中利用Ag/Ni/Graphene的组合来制作反射电极，并在不同的高温退火环境下进行合金(alloy)处理，以求最佳的欧姆接触条件与最佳的反射率条件，最后沉积于GaN-based LED上作为反射电极，并讨论其电流一电压特性曲线以及光输出功率。

关键词： 氮化镓半导体 欧姆接触特性 石墨烯 反射率条件

作者: 陳隆建 方勁智 林文瑋 詹博舜

作者单位: 台北科技大學光電工程系 台北市忠孝東路三段1號

会议类型: 国内会议

会议名称: 海峡两岸第二十届照明科技与营销研讨会

会议地点: 台北

会议语种:中文

页码: 88-105

在线出版日期: 2013-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）