CdTe半导体纳米晶的制备及其表征

摘要：

通过巯基乙酸(TGA)做稳定剂修饰CdTe半导体纳米晶,并用透射电子显微镜、紫外可见分光光度计、荧光分光光度计对其形貌和光谱特性进行测试.通过该方法制得的半导体纳米晶具有颗粒分散均匀、较宽吸收波长,发光强度大等优势,且相比较目前其他的合成方法,这种方法更加绿色和廉价.

关键词： 碲化镉半导体纳米晶 制备工艺 结构表征 性能评价

作者: 姜青松 王海波 朱月华 施丰华 卓宁泽 李东志 汤坤

作者单位: 南京工业大学材料科学与工程学院 南京工业大学电光源材料研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 海峡两岸第二十届照明科技与营销研讨会

会议地点: 台北

会议语种:中文

页码: 594-599

在线出版日期: 2013-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）