BiB03(B=Co,Ni)的密度泛函理论研究

摘要：

采用基于密度泛函理论的全势缀加平面波和局域轨道方法,对BiBO3(B=Co,Ni)的结构和电子结构进行了计算.计算表明,BiB03(B=Co,Ni)的反铁磁结构优于其它可能结构,其中BiCoO3为C-AFM有序,而BiNiO3是G-AFM有序.多铁磁电材料BiB03(B=Co,Ni)中Bi-O和B-O轨道杂化对于铁电和铁磁耦合起重要的作用.理论计算预测了BiCoO3C-AFM有序绝缘基态带隙是2.19eV,BiNiO3G-AFM有序绝缘基态带隙是0.64eV.

关键词： 多铁磁电材料 铋氧化物 密度泛函理论 结构计算

作者: 任广斌 秦湘阁 郭庆龙

作者单位: 佳木斯大学 理学院,佳木斯市 154007 佳木斯大学 材料科学与工程学院,佳木斯市 154007

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届中国体视学与图像分析学术会议

会议地点: 太原

会议语种:中文

页码: 207-218

在线出版日期: 2013-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）