磁控溅射Cu薄膜表面形貌与表面粗糙度研究

摘要：

用扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(ARM)研究了沉积态和经不同温度退火后Cu薄膜的表面形貌以及表面粗糙度.实验结果表明,在单晶硅表面通过磁控溅射制备的Cu薄膜平均晶粒尺寸小于200 nm.低温退火时,Cu薄膜的晶粒大小与表面粗糙度变化不大,当退火温度达到400℃时Cu薄膜内晶粒明显长大并出现新相,同时表面粗糙度迅速升高.

关键词： 铜薄膜 磁控溅射 表面形貌 表面粗糙度

作者: 胡佳智 陈冷

作者单位: 北京科技大学材料科学与工程学院,北京 100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届中国体视学与图像分析学术会议

会议地点: 太原

会议语种:中文

页码: 280-283

在线出版日期: 2013-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）