磁控溅射法制备AL掺杂ZnO(ZAO)透明导电薄膜的研究

摘要：

本文采用了磁控溅射法在玻璃衬底上制备了ZnO∶Al透明导电薄膜.通过改变氧气和氩气的比例得到了性能不同的薄膜,用X射线衍射仪,紫外可见分光光度计,四探针电阻仪对ZnO∶Al透明导电薄膜进行表征.结果发现:在衬底温度为400℃,沉积时间为30min,氧气和氩气的比为5∶100的条件下,薄膜的透过率大于80％,方块电阻有最低值为80Ω/口.

关键词： 半导体材料 掺铝氧化锌 透明导电薄膜 磁控溅射法 光电性能

作者: 朱辰杰 许亮 王瑛 洪瑞金 温和瑞

作者单位: 江西理工大学冶金与化学工程学院,赣州34100

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国化学会2013年中西部地区无机化学化工学术研讨会

会议地点: 江西吉安

会议语种:中文

页码: 30-32

在线出版日期: 2013-04-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）