F掺杂浓度对AACVD法制备ZnO薄膜性能的影响
掺杂ZnO透明导电薄膜的研究大多数集中在用阳离子作为掺杂剂,如Al、Ga、In等.高的载流子浓度和宽带隙使Al、Ga、In掺杂的ZnO薄膜具有低电阻、高透过率的优良光电性能.其中Al掺杂的ZnO薄膜因具有价廉、无毒、与ITO膜相比在H离子中稳定性好而成为研究热点.但Al离子与Zn离子半径相差较大,Al取代Zn后能够引起晶格畸变.F离子半径与O离子半径相近(F-1.31(A),O2--1.38(A)),掺入到薄膜中,与Al掺杂相比能够有较小的晶格畸变,有助于减小薄膜中的应力.本文用气溶胶辅助化学气相沉积(AACVD)法制备了F掺杂的ZnO的薄膜.二水合乙酸锌为锌源,NH4F做掺杂剂,氮气做载气,温度400℃,在普通玻璃衬底上制备出了2at.%-6at.%不同浓度NH4F掺杂的ZnO薄膜,用四探针测试仪和紫外-可见分光光度计测试了薄膜的方块电阻和在可见光范围内的平均透过率,应用荧光光谱(FS)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)对FZO薄膜的结构和形貌进行了表征.
半导体材料 氧化锌薄膜 氟掺杂浓度 气溶胶辅助化学气相沉积法 性能表征
柳林杰 秦秀娟 赵琳 崔丽
燕山大学环境与化学工程学院,河北,秦皇岛,066004
国内会议
江西吉安
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42-43
2013-04-21(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)