CMOS数字集成电路老炼条件的选择

摘要：

本文从集成电路的失效模式、电路特点、老炼设备特点、老炼试验的要求等方面进行深入探讨,分析了其失效机理以及激发条件，指出对功能复杂的CMOS数字集成电路，应综合利用测试资源、静态老炼、动态老炼、合理考虑负载电阻、动态老炼与合理利用瞬态大电流效应相结合，这样才有可能最大限度地剔除影响电路长期可靠性的缺陷，最大限度地剔除早期失效器件。

关键词： 微电子学 数字集成电路 老炼试验 失效机理 控制技术

作者: 李兴鸿 赵春荣 赵俊萍

作者单位: 北京微电子技术研究所,北京 100076

会议类型: 国内会议

会议名称: 2013工业与信息化产品环境技术研讨会

会议地点: 云南大理

会议语种:中文

页码: 32-35,43

在线出版日期: 2013-11-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）