磁控溅射技术制备Cu2ZnSnS4薄膜及其微结构
采用射频磁控溅射技术溅射CuS、ZnS、SnS2混合靶材,在玻璃衬底上沉积前驱体,然后硫化退火制备Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜,通过EDS能量色谱仪、X射线衍射仪对薄膜进行表征分析.结果表明,退火温度高于450℃制备的样品出现了3个明显峰位28.52°，47.48°和56.20°,分别对应Cu2ZnSnS4(112)、(220)和(312)晶面,而且随着退火温度的升高样品在(112)方向择优取向生长。根据谢乐公式计算晶粒尺寸表明,随着退火温度升高，晶粒尺寸变大,薄膜质量改善。EDS分析显示，薄膜组分为贫Cu富Zn，制备的薄膜较为纯净。
硫化铜锌锡薄膜 半导体材料 射频磁控溅射技术 微结构
高学飞 邓金祥 孔乐 崔敏 陈亮
北京工业大学应用数理学院,北京 100124
国内会议
哈尔滨
中文
4-5,16
2013-08-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）