溅射温度对TaN薄膜应变敏感性能的影响
采用中频磁控溅射方法,在有绝缘层的金属基板上制备TaN薄膜应变计。并研究了溅射温度对TaN薄膜微结构、室温电阻率以及对薄膜TaN应变计的电阻温度系数(TCR)和应变敏感系数(GF)的影响。结果表明：溅射温度对TaN薄膜的微结构有显著影响；不同的溅射温度下，TaN会析出不同的晶相,不同晶相的TaN薄膜的电学性能和薄膜应变计的电阻温度系数都不相同；在400℃溅射温度下,N2分压为4％，溅射功率为200 W的条件下，制备的TaN薄膜应变计的TCR为50×10-6℃，GF为9，该薄膜应变计性能稳定,重复性好。
氮化钽薄膜 溅射温度 应变敏感性 微结构
李超 周勇 宋阳 贺利军 蒋书文
电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川 成都 610054
国内会议
哈尔滨
中文
51-52
2013-08-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）