液相外延法生长掺Bi磁光单晶薄膜材料

摘要：

现代光纤通信系统需要小型化的隔离器等磁光器件,就要求法拉第旋转子材料有大的旋光率、适合的饱和外场、小的插入损耗.本文介绍一种以PbO/B203/Bi203为助溶剂的溶液中,用液相外延法在CaMgZr:GGG基片上生长(ReBi)3Fe5012单晶薄膜材料的方法,生长出的单晶薄膜材料厚度≥470μm、在λ=1310nm波长下旋光率≥1600°/cm,可制成45 °法拉第旋转子.

关键词： 掺铋磁光单晶薄膜材料 液相外延法 参数优化 旋光率

作者: 陈运茂 游斌 姜帆

作者单位: 中国电子科技集团公司第九研究所 四川绵阳621000

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十六届全国微波磁学会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 29-33

在线出版日期: 2013-08-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）