渗流型聚芳醚酮基高介电常数复合材料
本文通过原位聚合的方法制备了一系列聚苯胺包覆碳纳米管(a-MWNTs@PANI)材料,研究了不同a-MWNTs/PANI质量比例材料的形貌.并以a-MWNTs/PANI质量比为10/90(a-MWNTs@PANI-1O)的材料作为填充材料,磺化聚芳醚酮(SPAEK)作为基体材料,通过溶液共混的方法制备复合材料.研究表明,a-MWNTs@PANI/SPAEK复合材料具有良好的介电性能,PANI包覆层的引入,不仅提高了复合材料的介电常数,而且提高了a-MWNTs的分散性,限制了导电网络的形成,有效降低了复合材料的介电损耗,a-MWNTs@PANI/SPAEK-30wt％复合材料的介电常数为686,介电损耗小于2.
复合材料 聚芳醚酮基体 介电常数 合成工艺
张云鹤 王琦桐 姜文龙 姜振华
吉林大学化学学院,长春市130012
国内会议
北京
中文
510-513
2013-09-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）